总部位于中国的长信存储器的19nm DDR4芯片容量到第二季度末将翻倍

昌鑫记忆科技的19nm晶圆的芯片产能20000片/月提高到40000片/月由季度末，Mydrivers.com说，援引业内更新。

报告称，不仅如此，长鑫的17nm工艺芯片有望在今年年底实现量产。

去年9月，ChangXin正式量产了10nm(10nm19nm)DDR4存储芯片(8Gb)。

ChangXin目前拥有一个12英寸晶圆厂，总产能为每月12万个晶圆。

本周，ChangXin与Rambus达成协议，以许可后者的DRAM技术。

早些时候，ChangXin通过与WiLAN的全资子公司Polaris Innovations的协议从奇梦达收购了超过1000万份技术文档和2.8TB的DRAM相关数据。

长信于2016年5月在安徽省合肥市启动，总投资1500亿元人民币，专门从事DRAM存储器的开发，生产和销售。

（编辑：应用网_丽江站长网）

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