台积电5nm晶体管密度比7nm提高88％

台积电尚未公布5nm工艺的具体指标，只知道会大规模集成EUV极紫外光刻技术，不过在一篇论文中披露了一张晶体管结构侧视图。

WikiChips经过分析后估计，台积电5nm的栅极间距为48nm，金属间距则是30nm，鳍片间距25-26nm，单元高度约为180nm，照此计算，台积电5nm的晶体管密度将是每平方毫米1.713亿个。

相比于初代7nm的每平方毫米9120万个，这一数字增加了足足88％，而台积电官方宣传的数字是84％。

虽然这些年摩尔定律渐渐失效，虽然台积电的工艺经常面临质疑，但不得不佩服台积电的推进速度，要知道16nm工艺量产也只是不到5年前的事情，那时候的晶体管密度才不过每平方毫米2888万个，5nm已经是它的几乎六倍！

另外，台积电10nm工艺的晶体管密度为每平方毫米5251万个，5nm是它的近3.3倍。

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（编辑：应用网_丽江站长网）

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