都在说RAM和ROM 可你真的懂这些储存原件么？

今天，媒体全球半导体观察发文称，因为智能手机和固态硬盘的强劲需求，第四季度的NAND Flash闪存将比之以前处于更加严重的缺货状态，言外之意，闪存可能要涨价了！

说到闪存，很多人都会想到运行内存和储存内存，关心手机硬件的朋友应该都对CPU、GPU、屏幕和电池等部件非常熟悉，但是对于产品性能同样非常重要的RAM（运行内存）和ROM（储存内存）相信就没有那么多人有很多了解了，今天的这篇文章，就先来说说储存内存的那些事。首先，和CPU等不一样，ROM的性能好坏的评价并不和计算能力相关，衡量一块闪存和运存性能好坏的，只有两个指标：数据读写速度和容量。

3D NAND为闪存容量打了兴奋剂

关于容量，首先需要强调，手机储存容量、固态硬盘（SSD）、U盘和SD卡等使用的都是一种叫做NAND的储存介质，传统的储存介质还有机械硬盘（HHD），也就是传统的光盘储存。特点是断电之后也能保持储存的数据不丢失，可以作存储数据用。而所谓的RAM（运行内存）则是通过某种电容（DRAM、SRAM或RRAM）储存数据的，断电之后数据马上消失，但是数据吞吐速度及其迅速，这里不做深究。

我们都知道现在苹果已经将自家的iPhone容量整体翻了一倍，从以前的16GB/64GB/128GB改为了32GB/128GB/256GB，所以即使今年的iPhone7销售情况并不能比上去年的iPhone6s，但是对NAND闪存的需求量仍然上涨了接近一倍，再加上固态硬盘的价格持续走低，这种几年前还是奢侈品的硬盘现在已经走进寻常百姓家，需求量也大大增长，这一切都促使着NAND闪存产量需要大幅增加。再加上2D NAND的生产线很多都为最新的3D NAND闪存腾了出来，而3D NAND技术，就是最近几年闪存容量飞速增长的最大助力。

传统的2D-NAND如果想要在同样的芯片体积上增加储存容量，需要NAND cell单元制程越做越小，这样才能在单位面积中塞入更多的存储单元，可是物理这个东西总是有极限的，在20nm工艺之后，随着单元体积的进一步缩小，会带来越来越严重的电子干扰现象，这就使得储存芯片的可靠性与读写性能反而会降低。

在这种窘境下，3D NAND技术被提了出来，简单来说就是将原来平面排列的NAND cell再加一个垂直方向上的堆叠，这种垂直方向的排列可以在微观下数倍的增加可用体积，可是因为单个cell单元的体积极小，所以并不会在宏观层面带来体积增加。并且因为可用体积成倍增长，使用3D NAND堆叠的闪存可以用更加成熟的制程，所以三星、Intel等厂商生产的3D NAND闪存都是使用的30nm左右的制程，而不是20nm以下的制程，这也为3D NAND带来了更加优秀的可靠性。例如目前20nm工艺下的MLC闪存的擦写次数普遍是3000次，而使用了3D NAND技术的三星的V-NAND闪存可达35000次。

正是因为3D NAND技术的提出和普及，现在我们越来越多地看见在以前难以想象的1TB SD卡这样的怪兽级储存设备，而在相同的芯片体积下，手机的ROM和电脑的SSD等也有着越来越大的储存容量。可惜的是这项拥有光明前景的技术在国内无人能够掌握，三星和Intel等厂商已经能够制造36、48层甚至是64层的3D NAND堆叠，国内前段时间也传出中芯将在武汉花费160亿美元建立DRAM和NAND工厂，可是就现在的情况来看，国内厂商仅仅能够生产出4层堆叠的3D NAND，和业界巨头来比还相去甚远。

eMMC传输协议已近黄昏，三星、苹果为了新标准互不相让

除了容量，读写速度也是制约使用体验的因素之一，想必所有人都尝到过游戏、应用加载过慢的痛苦，但是随着各家厂商提出新的标准规格，近年来小到不起眼的手机内存也迎来了突飞猛进的发展。现在的内存标准规格可以分为3类，一是传统的eMMC，再就是分别由三星和苹果提出的UFC标准和NVMe标准。

其实这些标准就是在NAND存储芯片的基础上，再加上了控制芯片，接入标准接口，进行标准封装，形成一个高度集成的储存模块。有点像手机中的SoC，将所有需要的东西都塞到一个模块中，方便手机制造商直接拿来装在主板上，简化了产品研发的流程。不过这三种标准更多的只是在接口和数据传输协议上的标准，在存储介质上，都是使用的NAND闪存。

（编辑：应用网_丽江站长网）

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