高通首款 10nm 芯片骁龙 835 将支持 QC4.0 快充：充电5分钟，使用5小时

站长之家(ChinaZ.com)11月18日消息，高通刚刚公布了下一代的旗舰芯片骁龙 835。据悉这款芯片将会由三星代工，基于 10nm FinFET 制程，跟现有的 14nm 骁龙 821 相比，其性能要强出 27%，同时最多能降低 40% 的功耗。除此之外，据称骁龙 835 的设计也有所改进，在总体续航力上将会有显著提高。

充电5分钟 使用5小时。

值得一提的是，跟骁龙 835 一同公开的还有新一代的快充技术 Quick Charge 4。据称它能带来比 QC 3.0 快 20% 的充电速度，充电 5 分钟可带来最高 5 小时的续航时长，连充 15 分钟后，基本能给采用骁龙 835 处理器的手机充入差不多一半的电量。

充电 15 分钟后，能给采手机充入一半的电量。

此外，不像 Quick Charge 3.0 ，高通 QC4.0 快充技术全面兼容 USB Type-C 和 USB-PD 标准协议，包括 USB 供电。高通表示 QC4.0 快充技术也兼容谷歌最新公布的安卓 7.0 新的 Type-C 充电规格，包含更精确的电压、电流和温度，保护设备和充电器免受损害。另外对于过充电也有新的保护机制。

（编辑：应用网_丽江站长网）

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