成为5G射频的王者 它和FinFET一样精彩
发布时间：2022-04-15 16:08:46 所属栏目：通讯 来源：互联网
导读：上世纪末，胡正明教授为了解决传统CMOS工艺大限将至的问题，受命带队研发替代性工艺。最终，FinFET与FD-SOI在众多竞争者中脱颖而出。两者各有所长，难分轩轾，但在多重因素的左右之下，FinFET最终成为了主流工艺的接班人。 随着工艺的逐年演进，FinFET与FD-S
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上世纪末，胡正明教授为了解决传统CMOS工艺“大限将至”的问题，受命带队研发替代性工艺。最终，FinFET与FD-SOI在众多竞争者中脱颖而出。两者各有所长，难分轩轾，但在多重因素的左右之下，FinFET最终成为了主流工艺的接班人。 随着工艺的逐年演进，FinFET与FD-SOI孰优孰劣的争论已渐渐平息了。没有像FinFET那样轰轰烈烈引领先进工艺的进展，但FD-SOI与其背后的SOI家族却也走出了属于自己的一条道路。 RF-SOI器件拥有尺寸小、寄生电容小、速度快、功耗低、集成度高、抗辐射能力强等优点，特别适合开关和转换器低插损、高线性、高速的要求。相比传统的砷化镓（GaAs）和蓝宝石上硅（SOS）技术，RF-SOI可以同时提供优良的射频性能和较低的成本。作为开关和天线调谐器的主流技术，这些器件的90%都是由RF-SOI制造的。 5G时代的到来，智能手机对RF器件的更高要求给了RF-SOI充裕的发挥空间。一方面，智能手机轻薄化、高屏占比的设计趋势持续发展，留给内置RF前端功能区的空间不断减少；另一方面，5G的RF前端模块所需要的功率放大器、滤波器、开关、LNA和天线调谐器的翻倍增长，众多模块都要集成在一部手机当中。这种矛盾使得设计者倍感棘手。 高性能、大尺寸的RF-SOI衬底制备和射频开关代工技术已经证明能够满足5G Sub-6GHz应用的性能和产能需求，并开始在毫米波频段和Wi-Fi 6/6E中发挥潜力。 Soitec公司首席运营官兼全球业务部主管Bernard Aspar告诉集微网，在5G智能手机中，RF-SOI 器件的比例正在不断增加，例如Sub-6GHz频段中，RF-SOI含量比4G高60%；毫米波频段中，120mm2 SOI内容含量增加；同时，RF-SOI在 Wi-Fi 6/6E MU-MIMO 射频前端中更具优越性。 目前，全球RF SOI代工厂包括Tower Jazz、格罗方德、台积电、UMC等。格罗方德还专门为5G应用推出了45nm RF-SOI工艺，该工艺利用了高电阻阱富集的SOI衬底。在国内晶圆代工厂商中，中芯国际与华虹宏力也具备了RF-SOI工艺主流制程代工能力。 （编辑：应用网_丽江站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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